พาวเวอร์วอลล์ลิเธียมไอออน

โดยทั่วไปแล้ว เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดผลึกซิลิคอนจะถูกประดิษฐ์ขึ้นบนเวเฟอร์ซิลิคอนคุณภาพสูง-ที่มีความหนา 350-450μm ซึ่งเลื่อยจากแท่งซิลิคอนที่ดึงหรือหล่อ

วิธีการข้างต้นใช้วัสดุซิลิกอนมากกว่าจริงๆ เพื่ออนุรักษ์วัสดุ ปัจจุบันการสะสมไอสารเคมี (CVD) เป็นวิธีการที่ใช้กันทั่วไปที่สุดในการผลิตเซลล์ฟิล์มบางที่เป็นโพลีคริสตัลไลน์ซิลิคอน- รวมถึง-การสะสมไอสารเคมีความดันต่ำ (LPCVD) และการสะสมไอสารเคมีแบบเพิ่มพลาสมา- (PECVD) -เฟสเอพิแทกซี (LPPE) ของเหลวและการสะสมสปัตเตอร์ยังสามารถนำมาใช้ในการผลิตเซลล์ฟิล์มโพลีคริสตัลไลน์ซิลิคอนบาง-ได้

CVD ใช้ SiH2Cl2, SiHCl3, SiCl4 หรือ SiH4 เป็นก๊าซของสารตั้งต้นเป็นหลัก ภายใต้บรรยากาศที่มีการป้องกัน อะตอมของซิลิคอนจะทำปฏิกิริยาเพื่อสร้างอะตอมของซิลิคอน ซึ่งจากนั้นจะสะสมอยู่บนพื้นผิวที่ให้ความร้อน วัสดุพื้นผิวโดยทั่วไปประกอบด้วย Si, SiO2 และ Si3N4 อย่างไรก็ตาม การวิจัยแสดงให้เห็นว่าการสร้างเกรนขนาดใหญ่บนพื้นผิวที่ไม่ใช่-ซิลิกอนนั้นเป็นเรื่องยาก และช่องว่างระหว่างเกรนก็เกิดขึ้นได้ง่าย

วิธีแก้ปัญหานี้คือการฝากซิลิคอนอสัณฐานบาง ๆ ลงบนพื้นผิวโดยใช้ LPCVD จากนั้นจึงหลอมชั้นนี้เพื่อผลิตเมล็ดที่มีขนาดใหญ่ขึ้น ฟิล์มบางโพลีคริสตัลไลน์ซิลิคอนหนาจะถูกสะสมไว้บนผลึกเมล็ดนี้ ดังนั้นเทคโนโลยีการตกผลึกซ้ำจึงเป็นขั้นตอนสำคัญอย่างไม่ต้องสงสัย ในปัจจุบัน เทคโนโลยีหลักที่ใช้คือการตกผลึกแบบโซลิด-เฟส และ-การตกผลึกซ้ำแบบหลอมละลายในโซนกลาง นอกเหนือจากกระบวนการตกผลึกใหม่แล้ว เซลล์ฟิล์มบางโพลีคริสตัลไลน์ซิลิคอน-ยังใช้เทคนิคเกือบทั้งหมดที่ใช้ในการผลิตเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดผลึกซิลิคอนเดี่ยว-อีกด้วย สิ่งนี้ช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพการแปลงของเซลล์แสงอาทิตย์ที่เกิดขึ้นได้อย่างมาก